大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发

作者：李海燕; 曹凌霞; 陈籽先; 黄婷; 程雨

来源：红外, 2023, 44(02): 8-12.

• 锑化铟
• 单点金刚石车削
• 背减薄

为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄，介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除，然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤，最终实现了1280×1024元(25■m)大尺寸锑化铟混成芯片背减薄(材料表面的半峰宽值约为8.20～11.90 arcsec)。与传统磨削工艺相比，该工艺对尺寸大、面型差的半导体芯片兼容性强，解决了大尺寸芯片在传统磨削工艺中因面型带来的裂片率高、减薄厚度不均匀的问题。