基于GaAs pHEMT 2.5～4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

作者：林倩; 胡单辉; 邬海峰^*; 陈思维

来源：重庆邮电大学学报(自然科学版), 2022, 34(01): 73-77.

• GaAs pHEMT
• MMIC PA
• 共源共栅
• 负反馈
• 高增益

为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性，设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier, PA),该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构，其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度，采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配，选取共源极放大器实现高线性度指标。经过流片加工后，实测结果显示，该PA在2.5～4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益，可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求，具有广泛的市场应用前景。

• 单位
  成都嘉纳海威科技有限责任公司; 青海民族大学; 电子信息工程学院