一种新型的硅片研磨后清洗液

作者：李明智; 韩焕鹏; 常耀辉; 张颖武; 莫宇; 刘峰

来源：半导体技术, 2020, 45(09): 718-722.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.011

• 表面活性剂
• 烷基苯磺酸盐
• 硅片清洗液
• 粗糙度
• 润湿角

基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。为减小清洗后硅片的表面粗糙度和表面划痕损伤,确定了最佳的硅片清洗温度为65℃,清洗剂原材料溶于水后配制的清洗液的pH值为10.5,清洗时间为180 s。新型清洗液与传统硅片清洗液的对比实验表明,采用新的清洗液可明显降低硅片表面粗糙度,改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所