金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及制备方法

作者：许晟瑞; 彭利萍; 许文强; 张金风; 张怡; 张雅超; 任泽阳; 张进成; 郝跃

来源：2021-01-18, 中国, CN202110060276.9.

本发明公开了一种金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及其制备方法,主要解决现有GaN基HEMT器件在大功率应用下的散热能力差和欧姆接触电阻的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、GaN层(3)、InAlN外延层(4)和GaN帽层(5)。其中衬底(1)采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力；缓冲层(2)采用BN材料,用于提高外延层质量；GaN层(3)采用N极性面GaN,用于降低欧姆接触电阻。本发明改善了GaN/InAlN异质结的散热能力,同时降低了欧姆接触电阻,从而为器件在大功率下的工作奠定了基础,可用制作高频、大功率高电子迁移率晶体管器件。

• 单位
  西安电子科技大学