三级CHBR电感磁损特性研究

作者:袁义生; 陈旭; 毛凯翔
来源:华东交通大学学报, 2019, 36(02): 119-125.
DOI:10.16749/j.cnki.jecjtu.2019.02.018

摘要

推导了三级CHBR各级电路交流端电压的占空比,分析了电路的工作状态,进而推导了各工作状态下电感电流的纹波公式。在此基础上得到了输入电压正半周期内电感纹波电流的变化曲线以及电感磁芯损耗的变化曲线。对比单级H桥整流器、单级三倍频H桥整流器可以看出,三级CHBR电感的磁损特性与单级H桥整流器并不相同,将单级H桥整流器的频率提高至三倍也不能反映三级CHBR电感的磁损特性,通过计算可得三级CHBR电感的总磁芯损耗仅为单级H桥整流器的0.05倍。最后通过实验证明了所分析理论的正确性。

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