铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展

作者：曲里京; 高宝红^*; 王玄石; 檀柏梅; 刘玉岭

来源：半导体技术, 2020, 45(10): 775-795.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.007

• 化学机械抛光(CMP)
• 表面活性剂
• CMP后清洗
• 颗粒去除
• 表面活性剂复配

在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学