铜表面硅烷裂解的第一性原理研究

作者：王铎; 李佳

来源：当代化工, 2017, 46(12): 2403-2406,2411.

DOI：10.3969/j.issn.1671-0460.2017.12.007

• 硅烷
• 铜表面
• 裂解
• 第一性原理

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究硅烷(SiH4)在Cu(111),Cu(100),Cu(110)表面的裂解过程,确定了4个反应步骤的所有反应物、生成物以及中间产物的稳定吸附位置.并且从热力学角度分析每一步反应的驱动力,得出硅烷裂解为放热反应以及硅烷的第一步裂解(SiH 4→SiH 3+H)最容易发生.因此我们推测在化学气相沉积过程中,在铜表面很难观测到硅烷分子的存在.

• 单位
  清华大学深圳研究生院