抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究

作者：王同庆; 韩桂全; 赵德文; 何永勇; 路新春

来源：摩擦学学报, 2013, (04): 394-399.

DOI：10.16078/j.tribology.2013.04.008

• 化学机械抛光
• 抛光垫
• 300mm晶圆
• 铜互连
• 材料去除率
• 非均匀性
• 碟形凹陷 chemical mechanical polishing
• polishing pad
• 300 mm wafer
• copper interconnect
• material removal rate
• non-uniformity
• dishing

利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比...

• 单位
  清华大学; 摩擦学国家重点实验室