不同Yb掺杂浓度的ZnO的电子结构与光学特性

作者：王嘉豪; 吴磊; 刘淑平^*

来源：原子与分子物理学报, 2023, 40(06): 169-174.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2023.066004

• 第一性原理
• ZnO
• 带隙
• 电子结构
• 光学特性

本文基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理计算方法，研究了不同Yb浓度掺杂ZnO体系的电子结构和光学性质.计算得到的结果证明，Yb掺杂ZnO后会造成电子结构和光学性质的明显改变.增加掺杂浓度使能带带隙逐渐变窄，其费米能级向上移动到导带，表现出n型半导体的特性；在Yb-4f态导带附近的带隙中产生了新的缺陷，同时观察到更好的吸收系数和折射率.因此，Yb掺杂ZnO对其电子性质和光学结构有很大的影响，为进一步深入了解掺杂ZnO性质的影响提供理论基础.

• 单位
  太原科技大学; 中国电子科技集团公司第二研究所