一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法

作者：宁洪龙; 刘贤哲; 姚日晖; 张旭; 袁炜健; 张观广; 梁志豪; 梁宏富; 张啸尘; 彭俊彪

来源：2018-12-12, 中国, CN201811515158.7.

本发明属于电子器件材料制备技术领域,公开了一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)配制锆掺杂氧化锡前驱体溶液；(2)将干净玻璃衬底进行等离子体处理；(3)在等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂制备锆掺杂氧化锡薄膜；(4)将制备好的薄膜先在热台上进行预固化,之后再进行退火。本发明制备的锆掺杂氧化锡透明导电薄膜具有高透过率,低电阻率,工艺简单,成本低廉等优点。

• 单位
  华南理工大学