金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用

作者：文如莲; 胡晓龙; 梁思炜; 王洪

来源：光学与光电技术, 2018, 16(05): 42-47.

DOI：10.19519/j.cnki.1672-3392.2018.05.007

• 导电薄膜
• 掺金属
• 退火
• 395nm紫外LED
• 薄膜性能

研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14mil×28mil正装395nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明:掺3nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600℃退火后方块电阻最大降低6.2Ω/,透过率在395nm处最大达91.2%。在120mA注入电流下,395nmLED电压降低0.5V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。

• 单位
  中山市华南理工大学现代产业技术研究院; 华南理工大学