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摘要
石墨烯作为当前最新最热的材料之一,近年来迅猛发展。我们通过化学气相沉积法在铜箔衬底上制备石墨烯薄膜,对单点形核与取向一致阵列两种方式生长的大面积单晶石墨烯以及石墨烯拉伸的拉曼表征进行了研究。多晶石墨烯中的畴界是影响其电学和力学性能的主要原因,通过单点形核制备的石墨烯薄膜,石墨烯晶畴平均尺寸可以达到约1.7mm,并且能够形成连续的石墨烯薄膜。而通过取向一致阵列方法制备大尺寸石墨烯单晶,通过将普通铜箔表面单晶化,制备出取向一致的六边形石墨烯点阵,再将其无缝拼接在一起形成大面积石墨烯单晶,大大加快了大面积单晶石墨烯生长速率,且尺寸最大可以达到厘米级。最后利用上述样品,我们对其进行了柔性基底表面的拉伸,通过设计新型界面缓冲层,实现了石墨烯与柔性基底间应力的有效传递,为石墨烯未来在柔性电子中的更高效应用提供了可能。
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