氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO薄膜性能的影响

作者：向玉春; 朱建雷; 袁亚

来源：真空, 2023, 60(03): 42-45.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2023.03.06

• 氧化铜薄膜
• 半导体
• 脉冲激光沉积法
• 电学性能
• 光学性能

采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜，研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明：在氧压为3×10-3Pa,3～5Pa，和8～12Pa时，沉积的薄膜分别为单一Cu2O相、混合Cu2O/CuO相和单一CuO相；当氧压从5Pa增加到8Pa时，CuO薄膜的取向从(111)变化到(002)；霍尔测试表明，在3～5Pa下沉积的CuO薄膜为p型，而在8～12Pa下沉积的薄膜为n型；氧气压强为5Pa时，薄膜电阻率较小，载流子浓度最大。

• 单位
  咸阳职业技术学院