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摘要
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向4°的n型4H-SiC衬底上进行了同质外延生长，在设定的工艺条件下，外延膜生长速率达到40.44μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别达到1.37%和2.79%。AFM表征结果显示表面均方根粗糙度为0.11 nm; Leica显微镜观察显示外延膜表面光滑，生长缺陷密度很低，没有宏观台阶结构；Raman谱线清晰锐利，表现出典型的4H-SiC特征。综合分析表明，本实验使用国产的高速旋转垂直热壁CVD设备，在较高的外延生长速率下，获得了具有高厚度均匀性和高掺杂浓度均匀性的高质量4H-SiC外延膜，对目前碳化硅外延产业的发展和半导体设备的国产替代具有良好的指导作用。
