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摘要
本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构,由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n#GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p#GaN层、金属反射镜层、钝化层、p#电极层、n#电极层、p#电极孔和n#电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p#GaN层的表面处具有微米#纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近,实现高效SP#MQW耦合；凹槽部分覆盖在p#GaN表面,使p#GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p#GaN的分界面上。
- 单位
