摘要

Z型异质结是提高半导体光催化性能的一种有效途径,因为Z型异质结具有抑制电子-空穴复合以及为2种半导体保留高氧化还原能力的双重优点。采用简单高温固化–水热法合成了具有可见光响应的新型无定型C/g-C3N4/Bi2WO6(C/C3N4/Bi2WO6) Z型异质结。对制备的复合催化材料进行了系统表征,并选择盐酸四环素(TC)作为目标污染物评价其光催化性能。C/C3N4/Bi2WO6复合材料的光催化活性优于g-C3N4、C/C3N4和Bi2WO6。当C/C3N4与Bi2WO6的质量比为1.0:0.7时,复合催化材料(C/C3N4/Bi2WO6-3)的催化效率最高。C/C3N4/Bi2WO6复合光催化材料催化性能的提高可能是所形成的Z-型异质结促进了光生电子–空穴对有效的分离和转移。

  • 单位
    滨州学院

全文