考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型

作者：张峰源; 刘凡宇; 李博; 李彬鸿; 张旭; 罗家俊^*; 韩郑生; 张青竹

来源：半导体技术, 2020, 45(06): 438-443.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.06.005

• 绝缘体上鳍(FOI)
• 鳍式场效应晶体管(FinFET)
• 电流模型
• 背栅偏置
• 耦合效应
• 耦合系数

建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所