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摘要
SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点，被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况，选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析；对键合结构的选型与布局进行设计；对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上，通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后，搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性，以及封装设计的合理性。
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单位北京市科通电子继电器总厂有限公司; 哈尔滨工业大学; 北京航天自动控制研究所
