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摘要
以Ga2O3半导体为前驱体,用浸渍加低温磷化法制备了P掺杂Ga2O3表面修饰Ni2P光催化剂(x-Ni2P/Ga2O3-Py,x代表Ni2+和Ga2O3的物质的量之比,y代表NaH2PO·H2O与Ga2O3的物质的量之比)。5%-Ni2P/Ga2O3-P6催化剂展现出在纯水中光催化析氢的高活性,在430 nm光照下的光量子效率为0.22%。机理研究结果表明Ni2P修饰和P掺杂扩展了催化剂的光响应范围,同时提升了载流子分离迁移效率,其长周期光催化反应稳定性明显优于未磷化催化剂。
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以Ga2O3半导体为前驱体,用浸渍加低温磷化法制备了P掺杂Ga2O3表面修饰Ni2P光催化剂(x-Ni2P/Ga2O3-Py,x代表Ni2+和Ga2O3的物质的量之比,y代表NaH2PO·H2O与Ga2O3的物质的量之比)。5%-Ni2P/Ga2O3-P6催化剂展现出在纯水中光催化析氢的高活性,在430 nm光照下的光量子效率为0.22%。机理研究结果表明Ni2P修饰和P掺杂扩展了催化剂的光响应范围,同时提升了载流子分离迁移效率,其长周期光催化反应稳定性明显优于未磷化催化剂。
