单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

作者：高凤梅; 尉国栋; 王华涛; 谢志鹏; 张立功; 范翊; 罗劲松; 安立楠; 杨为佑

来源：人工晶体学报, 2009, S1: 181-185.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.s1.043

• 有机前驱体
• 热解
• 氮化硅
• 纳米带
• 掺杂 polymeric precursor
• pyrolysis
• Si3N4
• nanobelts
• doping

采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶Si3N4纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶Si3N4纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均厚度约为几十纳米,平均宽度为几百纳米,具有完整的晶体结构,生长方向为[011],固-液-气-固(SLGS)生长机理。对Al掺杂的纳米带的光学性能进行了初步检测。结果表明:Al掺杂对单晶Si3N4纳米带的光学性能具有显著的影响,通过调节Al掺杂浓度,可以成功实现对纳米带光学性能的调控。

• 单位
  清华大学; 宁波工程学院; University of central Florida; 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室; 中国科学院