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摘要
能源生产清洁化和能源消费电气化是我国“双碳”政策的必经之路，功率半导体技术在这2个过程中发挥着重要作用。以氮化镓（GaN）为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性，未来应用前景广阔。历经二十余年产业链上下游技术发展，目前GaN功率半导体的关键共性技术，诸如大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延、稳定常关型器件的制备以及与CMOS兼容的GaN工艺制备等，已逐步得到解决，产品在消费类电子领域实现了量产应用，但是GaN功率器件仍然面临着“用不起”“用不好”“不敢用”的问题，这限制了其应用领域的拓展。未来GaN功率半导体器件将向着更高功率密度与更高可靠性方向发展，伴随着大功率发展趋势，常开型器件与常关型器件2条技术路线相互竞争，并向着高频化趋势下的功率集成技术、低成本大功率纵向器件技术等方向进一步发展，在车载等更多更高端领域实现规模化应用。文章主要介绍了三族氮化物功率半导体技术发展现状和Si衬底GaN基功率器件的关键共性技术，以及分析目前GaN功率器件的应用瓶颈与未来的发展趋势。
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