电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL

作者：姚文泽; 徐宏成; 赵浩杰; 刘薇; 侯程阳; 陈艺勤; 段辉高; 刘杰^*

来源：湖南大学学报(自然科学版), 2022, 49(10): 183-191.

DOI：10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2022239

• 电子束光刻
• 计算光刻
• Monte Carlo方法
• 邻近效应校正
• EDA软件

为模拟和优化电子束光刻（Electron Beam Lithography,EBL）工艺过程，提高电子束光刻版图加工质量，依托湖南大学（Hunan University,HNU）开发了一套电子束光刻的“自主可控”国产电子设计自动化（Electronic Design Automation,EDA）软件HNU-EBL.该软件实现了以下主要功能：1）基于Monte Carlo方法计算电子束在光刻胶和衬底中的散射过程与运动轨迹；2）基于多高斯加指数函数模型计算拟合出电子束散射的点扩散函数；3）基于GDSII光刻版图文件矩阵化，进行邻近效应、雾效应等校正计算，优化电子束曝光剂量；4）基于卷积计算，计算出给定曝光剂量下的能量沉积密度，并计算出边缘放置误差等光刻加工质量关键指标.基于该软件，通过异或门（Exclusive OR,XOR）集成电路的光刻版图算例，计算在聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate,PMMA）光刻胶和硅衬底中10 kV电子束的光刻工艺过程.通过对比电子束邻近效应校正前后的显影版图，验证了该软件的有效性.在完全相同的计算硬件和算例条件下，与主流同类进口EDA软件进行了对比，证实了在同等精度下，本软件具有更高的计算效率.已建立http：//www.ebeam.com.cn网站，将HNU-EBL软件免费授权给EBL用户使用.

• 单位
  湖南大学