一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法

作者：李相龙; 田明; 王昌锋; 刘人华; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲; 廖端泉; 曹永峰

来源：2019-12-11, 中国, ZL201911264350.8.

本发明公开了一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法,本发明将源漏外延器件的栅围电容分为栅极与插塞耦合电容C-(CO)、栅极与底层互连金属M1耦合电容C-(PM)和栅极与源漏耦合电容C-(GSD)三类,设计了四类不同的测试结构,用于提取三类栅围寄生电容。通过对四种测试结构的测试值统计分析,逐步将栅极与插塞耦合电容C-(CO)、栅极与底层互连金属M1耦合电容C-(PM)和栅极与源漏耦合电容C-(GSD)分离。测试结构测试值分析处理得到的栅围电容间接值,可借助三维场仿真器还原得到栅围电容的真实值。针对不同的器件尺寸,对其栅围电容进行去嵌、分析,所得的栅围电容以二维查找表的形式写入ITF文件,使用LPE工具StarRC生成版图寄生库nxtgrd文件,实现版图寄生库文件与栅围电容的精准匹配。