基于时域波形和频域S参数的GaN二极管参数验证方法研究

作者：刘敏; 宋学峰

来源：电子测试, 2019, (13): 51-50.

DOI：10.16520/j.cnki.1000-8519.2019.13.020

• GaN二极管
• 模型验证
• 时域频域方法

GaN二极管的串联电阻和零偏压电容是其非线性模型部分的两项关键参数,其提取一般基于直流I-V和低频的C-V方法。然而,在诸多应用中,二极管的工作频率一般会达到数个GHz。为了验证提取的参数在高频时的准确性,本论文使用了两种方法,分别基于时域波形和频域S参数在其工作频率对其模型参数进行验证。

• 单位
  西安交通大学; 中国电子科技集团公司第十三研究所