负载大小对SiC MOSFET开关速度的影响

作者：刘勇; 肖岚; 伍群芳; 刘琦

来源：电力电子技术, 2023, 57(10): 133-136.

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 开关速度
• 双脉冲测试

现有研究多关注驱动电阻、驱动电压、寄生参数等对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的影响,鲜有文献研究负载大小的影响。针对负载大小影响SiC MOSFET开关速度这一现象,建立开关过程模型,结合其转移特性分析此现象产生的原因,仿真和理论分析表明,SiC MOSFET的开通速度随负载增大而降低,关断速度随负载增大而增加。使用SiC功率模块进行双脉冲测试,结果验证了理论分析的正确性。

• 单位
  自动化学院; 南京航空航天大学