电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

作者：刘洁; 周继承; 罗宏伟; 孔学东; 恩云飞; 师谦; 何玉娟; 林丽

来源：半导体学报, 2008, 29(1): 149-152.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.028

• X射线
• SOI MOSFETs
• 部分耗尽
• kink效应
• 总剂量效应

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.

• 单位
  中南大学