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摘要
本发明公开了一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法,主要解决现有技术无法有效提高器件反向击穿电压以及导通电阻较大的问题。其自下而上包括：阴极金属(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓轻掺杂外延层(3)、半导体介质层(4)和阳极金属(5),其中,半导体介质层(4)的两端采用旋涂玻璃SOG作为边缘介质,以在氧化镓轻掺杂外延层的上部中间形成倒梯形凹槽结构,该凹槽内沉积有p型半导体材料作为中端介质,以提升边缘峰值电场。本发明提升了击穿电压,降低了导通电阻,提高了氧化镓器件的耐压,可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。
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