本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,可采用溶液法制备高迁移率的金属氧化物薄膜晶体管。该薄膜晶体管的制备方法,包括在衬底上制备形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；通过溶液法制备形成所述有源层,所述有源层的材料为氧化锆铟半导体材料。
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