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摘要
二维超导体具有丰富的物理特性和非常广泛的潜在应用.最近,有报道制备出具有二维超导特性的α-Mo2C和面心立方Mo2C,这些材料为碳基超导的研究带来了新的方向.碳化钼具有多种晶体结构,除了目前已经被制备的种类外,二维碳化钼尚没有新的晶体结构被制备出来,这或许是因为在制备过程中缺乏额外的能量供给.在本工作中,我们进一步发展了两步气相沉积法,通过有效调控等离子体作为外加能量供给,成功制备出具有不同厚度和超导特性的二维η-Mo3C2薄膜.虽然这种方法生长出的η-Mo3C2薄膜是多晶,但这些薄膜仍然可以表现出良好的超导特性.其中,3.0 nm厚的薄膜具有5.38 K的超导转变温度,而且其电学性能很好地与二维超导特性吻合.这项工作不仅证明了二维η-Mo3C2薄膜具有稳定和良好的超导特性,而且还提供了一种更为便捷的生长方法,这将进一步促进更多基于二维碳化物异质结构的应用性器件的便捷制备.
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