本发明公开了一种可提高太赫兹及红外光学器件性能的单分散磁性纳米材料的制备方法,利用高温热解法制备粒径9-11 nm的磁性氧化物纳米颗粒作为种子；通过种子生长法以步骤一获得的种子制备粒径14-16 nm的磁性氧化物纳米粒子；将步骤二所得磁性氧化物纳米粒子滴加于太赫兹芯片上,并通过旋涂工艺制备均匀覆盖有磁性纳米颗粒的新型太赫兹芯片。本发明制备的磁性纳米材料分布均匀、稳定性好,粒径大小可控,能规模化生产；对太赫兹芯片的光电导天线结构不破坏,性能稳定,对光电天线性能提高显著。
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