具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法

作者：汤晓燕; 周瑜; 宋庆文; 袁昊; 何艳静; 张玉明

来源：2020-07-22, 中国, ZL202010713459.1.

本发明公开了一种具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法,所述器件包括衬底、N+缓冲区、P-基区、P+缓冲区、P+区、SiO_2钝化层、阴极和阳极,其中,衬底、N+缓冲区、P-基区、P+缓冲区和P+区自下而上依次设置；SiO_2钝化层覆盖在P-基区、P+缓冲区和P+区的外周,且SiO_2钝化层的上端覆盖P-基区上表面的一部分,SiO_2钝化层的下端覆盖N+缓冲区上表面未被P-基区覆盖的区域；阴极设置在衬底的下表面；阳极设置在P+区的上表面未被SiO_2钝化层覆盖的区域,且阳极与SiO_2钝化层接触。该器件能够缩短碳化硅基DSRD的脉冲前沿,降低器件功耗,降低工艺复杂度,提升器件可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学