为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题，并对传统FINFET做进一步优化，提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管。所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流，只需一个独立外部供电的栅电极就可控制器件的导通、关断和浮栅擦写功能。通过改变器件中浮栅注入的电荷类型以及半导体中的掺杂浓度，即可使器件工作在不同的模式下，还可使整个器件拥有更低的反向漏电流和更高的正向导通电流。整体结构相互对称，源漏可以互换，因此具有更好的兼容性。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
