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摘要
采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。
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单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 华东师范大学
采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。
