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摘要
本发明公开了一种非对称型的可重构场效应晶体管,该晶体管包括沟道、设置在沟道一端的漏极和沟道另一端并向沟道内部延伸的源极、设置在沟道外侧的栅极氧化物、分别设置在源极和漏极端且栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极、分别设置于沟道两端外侧、用于控制栅极、极性栅极和源极、漏极电学隔离的边墙以及设置于栅极氧化物外侧、用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离。本发明向沟道中延伸的源端与纳米线沟道的接触面积更大,提高了载流子的隧穿面积,增大开启电流。在关断时,漏极结构与一般性RFET漏极结构非交叠区域相同,泄漏电流基本保持不变,因此提升了电流开关比,在保证静态功耗不变的情况下,缩短逻辑门电流的运算延迟时间。
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