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摘要
本发明涉及一种高线性度复合栅结构的GaN晶体管器件及其制备方法,其中,所述GaN晶体管器件包括：衬底层；若干沟道层,若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极,设置在若干所述沟道层的两侧和顶部,并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处,而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极；源极,设置在所述若干沟道层上,并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极,设置在所述若干沟道层上,并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较大的电流驱动能力,而且线性度高、静态功耗小。
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