一种新型的耐高压箝位ESD保护电路设计

作者：朱兆旻; 何艳梅; 程宪宝

来源：北部湾大学学报, 2022, 37(04): 33-36.

DOI：10.19703/j.bbgu.2096-7276.2022.04.0033

• 静电释放
• 耐高压
• 保护电路
• 数模混合信号

对全芯片的静电释放(ESD)防护进行了设计与研究，提出了一种新的耐高压增强型箝位ESD芯片保护电路。该ESD保护电路由2个电阻、2个电容和3个MOS管组成，包含1个静电检测模块。仿真结果显示，此电路能完美实现ESD保护作用，可以承受5 kV的瞬时高压。

• 单位
  北部湾大学