具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构(英文)

作者：段宝兴; 杨银堂; 张波; 李肇基

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (04): 677-681.

• 阶梯氧化边
• VDMOS
• 击穿电压
• 导通电阻 step oxide-bypassed
• breakdown voltage
• specific on-resistance

基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比导通电阻.分析结果表明:较Liang Y C提出的一般槽型氧化边结构,器件击穿电压提高不小于20%的同时,比导通电阻降低40%~60%.

• 单位
  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 西安电子科技大学; 电子科技大学