Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究

作者：吴磊; 王嘉豪; 刘淑平^*

来源：原子与分子物理学报, 2023, 40(05): 161-166.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2023.056005

• 6H-SiC
• 带隙
• 电子结构
• 光学特性

此文用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学特性，获得了Co掺杂将导致6H-SiC由带隙为2.016 eV的间接带隙半导体变成带隙为0.071 eV的p型半导体，且有磁性；掺杂后能带结构中出现由Co的3d能级造成的杂质能级；且载流子浓度提升，使得材料的导电性得到提高；替换掺杂使得6H-SiC在光学性质方面有所变化，介电函数实部和虚部在低能级处增大，吸收光谱从未掺杂的3.2 eV开始吸收变为略高于0 eV就开始；反射谱与电导率曲线发生红移等有益结果.

• 单位
  中国电子科技集团公司第二研究所; 太原科技大学