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摘要
本发明属于半导体光电子器件制造技术领域,具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片,其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层和电流阻挡层上的透明导电层、P电极和形成于N型台面上的N型透明电极以及N型焊点处电极。本发明制作的N型透明电极能够有效地改善传统功率型芯片中大面积N电极金属对光的阻挡和吸收,提高了芯片的发光亮度。同时该发明还具有工艺制作简单,用透明电极取代价格昂贵的金属电极,极大地降低了生产成本。
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