循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

作者：胡美娇; 李成; 徐剑芳; 赖虹凯; 陈松岩

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (07): 786-790.

• GeOI
• 氧化
• 退火
• 光致发光谱 GeOI
• thermal oxidation
• thermal annealing
• photoluminescence

采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540nm,发光强度随激发功率线性变化.结果表明用循环氧化/退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量,可用于Ge光电子和微电子器件.

• 单位
  厦门大学