氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能

作者：宋捷; 王久敏; 余林蔚; 黄信凡; 李伟; 陈坤基

来源：固体电子学研究与进展, 2007, (04): 468-471+492.

• 等离子增强化学淀积
• NH_3等离子体氮化
• X射线光电子谱
• 电容-电压
• 界面态密度 PECVD
• ammonia nitrid
• XPS
• C-V
• interface state density

为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀...

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京大学