采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

作者：尹章; 张鹰; 朱俊; 李言荣

来源：电子元件与材料, 2007, (04): 50-52.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2007.04.019

• 无机非金属材料
• 铁电材料
• BTO薄膜
• PLD
• 氧化物复合底电极
• 电滞回线
• 疲劳特性 non-metallic inorganic material
• ferroelectric material
• BTO thin film
• PLD
• oxide composite base electrode
• hysteresis loop
• fatigue behavior

用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室