碳化硅MOSFET结电容模型

作者：夏逸骁; 陶雪慧

来源：电力电子技术, 2020, 54(10): 13-16.

• 碳化硅
• 结电容
• 模型

针对碳化硅(SiC)MOSFET结电容,提出了一种建模方法。该方法通过统筹考虑寄生电容的物理结构模型、数学模型以及电路仿真模型后优化生成。此处考虑结电容对SiC MOSFET动态特性的影响情况,进而对3种结电容(栅源极电容、栅漏极电容和漏源极电容)进行建模探究,得出适用于SiC MOSFET的非线性结电容模型。最终通过仿真及实验验证,表明该模型具有一定的准确性和合理性。

• 单位
  苏州大学