本发明公开了一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法,属于半导体器件领域；所述晶体管主要解决了目前氧化镓MOS器件普遍存在的栅控能力弱,开关导通比低,阈值摆幅较大的问题。其自下而上包括绝缘衬底、氧化镓沟道层、包围氧化镓沟道的二维材料介质层和栅极、绝缘层以及上方重复的堆叠结构。环绕包围沟道的栅极通过剥离薄膜的形式实现,解决了GAA结构工艺实现困难的问题；栅极的四面接触为器件带来了良好沟道控制能力。本发明提高了器件的开关导通比,可用于制作高开关特性的氧化镓MOSFET器件。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
