二维硒化铅的范德瓦尔斯外延生长及其高性能异质结器件（英文）

作者：姜健; 程瑞清; 尹蕾; 文耀; 王皓; 翟保兴; 刘传胜; 单崇新^*; 何军^*

来源：Science Bulletin, 2022, 67(16): 1659-1668.

近年,基于二维材料及其异质结的光电探测器因其优异的光电特性受到广泛关注.但是,大多数二维材料的光捕获能力有限,从而限制了它们的光电转换效率.因此,合成具有高吸收系数的二维半导体材料和构筑高性能的异质结器件仍是一个难题.本文利用范德瓦尔斯外延技术在云母衬底上成功合成了非层状硒化铅纳米片.基于硒化铅的光电探测器展现了优异的光电性能.更重要的是,基于硒化铅和二硫化钼的范德华异质结器件不仅展现出106的高整流比,还具有～3×103 A/W和～7×1012 Jones的高响应度和探测率.

• 单位
  郑州大学