低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

作者：俞鹏飞; 介万奇

来源：人工晶体学报, 2010, (01): 21-24.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.01.050

• CdZnTe晶体
• 退火
• 红外透过率
• PL谱 CdZnTe crystal
• annealing
• IR transmittance
• PL spectra

以Cd1-yZny合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行退火改性。结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×106Ω.cm提高到5.7×109Ω.cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D0,X)发光峰。在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能。

• 单位
  西北工业大学