具有复合埋层的新型SIMON材料的制备

作者：易万兵; 陈猛; 张恩霞; 刘相华; 陈静; 董业民; 金波; 刘忠立; 王曦

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (07): 814-818.

• SIMON
• SOI
• 氮氧共注入 SIMON
• SOI
• co implantation of nitrogen and oxygen

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 ,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能

• 单位
  香港中文大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院半导体研究所