碳化硅陶瓷的放电等离子烧结

作者：张勇; 何新波; 曲选辉; 王玉会

来源：北京科技大学学报, 2008, 30(12): 1414-1417.

DOI：10.3321/j.issn:1001-053X.2008.12.019

• 碳化硅陶瓷
• 放电等离子烧结
• 致密度
• 力学性能

采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷. 分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律. 结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV 2550,断裂韧性达8.34MPa·m1/2,弯曲强度达684MPa.

• 单位
  北京科技大学