垂直排列ReS_(2(1-x))Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控

作者：敖伟栋; 刘妍; 马青山; 刘欢; 周斌; 郑霄家; 于东麒^*; 张文华^*

来源：无机材料学报, 2018, 33(10): 1083-1088.

• ReS2(1–x)Se2x
• ReS2
• 硒化
• 垂直排列
• 带隙调控

二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO2/Si衬底上生长了垂直排列ReS2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se2x合金纳米片,并研究了硒化温度(700、850和920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5h)对ReS_(2(1-x))Se2x合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS_(2(1-x))Se2x样品中Se含量可以在x=0(纯ReS2)到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55eV(800nm)调变到1.28eV(969 nm)。SEM结果显示ReS_(2(1-x))Se2x纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS_(2(1-x))Se2x合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。

• 单位
  辽宁师范大学; 中国工程物理研究院化工材料研究所; 四川省新材料研究中心