一种再生长沟道GaN基MOSFET器件结构及其制备方法

作者：张鹏; 李萌迪; 侯斌; 祝杰杰; 马晓华; 赵文

来源：2023-03-15, 中国, CN202310251725.7.

本发明涉及一种再生长沟道GaN基MOSFET器件结构的制备方法,包括：在第一N～+型GaN层上制备N～-型GaN层；在N～-型GaN层上制备P～+型GaN层；在P～+型GaN层上制备第二N～+型GaN层；刻蚀中间区域的第二N～+型GaN层、P～+型GaN层和部分厚度的N～-型GaN层,以形成栅槽；在栅槽内制备一层未掺杂的GaN材料,作为器件的再生长沟道层；通过原位生长技术在再生长沟道层的凹槽内生长一层单晶AlN层；通过原位生长技术在所述单晶AlN层的凹槽内生长一层栅介质层；在栅介质层的凹槽内沉积一层具有凹槽的栅电极；在栅电极两侧的第二N～+型GaN层上沉积源电极；在第一N～+型GaN层的下表面沉积漏电极。本发明使得MOSFET再生长沟道界面处Ga-O键难以形成,从而有效抑制了氧化物GaO-x的生成。

• 单位
  西安电子科技大学